低功耗肖特基整流器件用200mm高均匀性 硅外延层生长工艺

摘要：

200 mm硅外延片是肖特基器件的关键支撑材料,但是大尺寸硅外延层生长面临反应面积大、易受热流场扰动影响的问题,导致采用传统外延工艺始终未实现预期目标.利用Centura外延炉,在200 mm的硅单晶衬底上化学气相沉积(CVD)了结晶质量良好且高均匀性的外延层,外延层厚度不均匀性<1.0％,电阻率不均匀性<1.1％,无滑移线、雾等缺陷.实验利用光学显微镜、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg-CV)等测试设备分别研究了外延层的表面形貌、厚度和电阻率等参数.通过精确调节外延炉内的热场和流场分布,结合设计附面层杂质稀释、基座浅层包硅等技术,解决了参数一致性与稳定性问题,实现了高质量200 mm的硅外延层.

关键词：硅外延层、晶体缺陷、均匀性、肖特基器件

所属期刊栏目：18

分类号：TN304.0(半导体技术)

在线出版日期：2019-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：205-210