高功率半导体整流管芯片散热 效率计算仿真

摘要：

为了保证芯片性能,避免芯片受损,对高功率半导体整流管芯片散热效率进行计算和仿真研究.通过有限体积法进行热计算,利用质量守恒方程、能量守恒方程以及动量守恒方程对热传递问题进行描述,确定高功率半导体整流芯片边界条件,给出散热效率计算公式.在恒温室的防风罩中进行测试,依据模型和边界条件,通过ANSYS参数化编程语言APDL构建高功率半导体整流芯片三维有限元模型,分析芯片散热情况.研究平行排列微通道、正交网络结构、螺旋环绕结构和树枝分形结构微通道下芯片散热效率.向有限元模型整流管芯片主体施加热载荷,获取不同基板材料的温度分布情况,得到不同基板材料下芯片散热效率.结果表明,高功率半导体整流管芯片微通道应选用树型结构,基板材料应选择Cu/SiC复合基板.

关键词：高功率、半导体、整流管芯片、散热效率、计算

所属期刊栏目：18

分类号：TN312(半导体技术)

在线出版日期：2018-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：225-231