旋涂热解法制备高化学计量比的SnS薄膜

摘要：

为制备高化学计量比的SnS薄膜,使用一种简单的旋涂热解法,在空气中以载玻片和FTO为衬底,在热解温度分别为280 ℃、320 ℃和360 ℃条件下制备了系列SnS薄膜,并采用EDS、XRD、Raman、SEM、UV-Vis-NIR等手段研究了热解温度对SnS薄膜元素组成、晶相、形貌、光学吸收等的影响.结果表明,在热解温度为320 ℃热解10 min时,获得的SnS薄膜Sn/S的原子比为1/0.99,直接禁带宽度为1.46 eV,十分接近太阳能电池吸收层的最佳禁带宽度1.50 eV,在太阳能电池吸收层材料领域具有重要潜在应用价值.

关键词：SnS薄膜、旋涂热解、化学计量比、拉曼光谱、光学吸收

所属期刊栏目：18

分类号：TN304.24;O484(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金21565001;国家民委化工重点实验室科研项目2017HG07;北方民族大学科研项目2016 HG-KY 05

在线出版日期：2018-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：71-75