含氧空位立方HfO2电子结构和光学性质的第一性原理研究

摘要：

利用基于第一性原理密度泛函理论框架下的平面波超软赝势法,研究了含氧空位立方HfO2的几何结构、电子结构和光学性质.计算结果表明,氧空位缺陷对晶格参数的影响不明显.能带结构和态密度结果表明在-0.216 eV处出现了氧空位缺陷能级.通过对比纯立方HfO2的光学吸收边,由于氧空位缺陷能级的出现,含氧空位立方HfO2的光学吸收边向低能方向移动.此外,氧空位的出现导致了静态介电常数的增加.

关键词：电子结构、氧空位、光学性质、密度泛函理论

所属期刊栏目：17

分类号：TN304.2(半导体技术)

在线出版日期：2017-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：230-235