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10.3969/j.issn.1671-1815.2017.12.027

含杂质方铅矿的电子结构和光学性质的第一性原理计算

引用
采用基于密度泛函理论(DFT)的计算方法,研究银、铟和铊杂质对方铅矿晶体电子能带结构和光学性质的影响.结果表明,银和铊杂质使方铅矿的带隙变窄,而铟杂质相反.当方铅矿晶体中的铅原子被银和铊取代时,费米能级向低能方向移动;且在价带中出现了铟和铊的杂质能级.银和铊杂质没有改变方铅矿的半导体类型,铟杂质的掺入使方铅矿由直接带隙p型半导体转变为间接带隙n型半导体.这有利于电子的转移和提高方铅矿的电化学反应活性.光学性质的计算结果表明,银、铟和铊杂质使方铅矿的吸收带红移.特别是银杂质的存在使方铅矿的吸收系数增加了三个数量级.

方铅矿(硫化铅)、光学性质、电子结构、密度泛函理论(DFT)

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TD862.2(矿山开采)

国家自然科学基金51464006;广西民族大学重点科研项目2012MDZD038;广西高校人才小高地建设创新团队计划桂教人201147-12;广西民族大学-广西化工研究院研究生培养基地专项资金BYB-012;广西教育厅重点实验室建设项目校地校企科技创新平台建设项目桂教科研[2012]9号

2017-06-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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