一种具有高存储容量的交互式忆阻交叉阵列

摘要：

基于忆阻的存储阵列有望取代现有的计算机存储系统,但其漏电流及路径问题仍然会对存储容量与效率产生较大影响.漏电流问题的严重性会随着存储阵列容量的增大而愈发明显;阵列规模越大,漏电流路径也随之增多.基于二极管的单向导通性和自适应读操作方法,提出一种具有高存储容量的交互式忆阻交叉阵列.实验仿真结果表明,该阵列结构在减少控制纳米线的同时,能够增大阵列的存储容量;并能有效解决漏电流问题.

关键词：忆阻、交叉棒存储阵列、漏电流路径

所属期刊栏目：17

分类号：TP303.1(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金61503418;中央高校基本科研业务经费CZY15008

在线出版日期：2017-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：229-232