基于硅基薄膜集成无源器件工艺的双频器设计

摘要：

消费类电子市场对产品的便携性要求愈益强烈。薄膜集成无源器件工艺由于集成度更高、成本低且性能较好而被提了出来。本文基于硅（ Si）基薄膜无源器件工艺设计了一个集成静电防护（ electro－static discharge， ESD）功能的双频器（ di－plexer），利用电磁仿真（EM）来优化双频器的性能。双频器在GPS频段的插入损耗小于1．1dB，回波损耗平均为10 dB，隔离度大于22 dB；在2．4 GHz WIFI频段的插入损耗小于1．2 dB，回波损耗为11 dB，隔离度大于30 dB；双频器的面积是1100×950μm。经测试，在HBM模式下，可以经受2 kV的电压的冲击。对比低温共烧陶瓷和PCB工艺制作的双频器，这个双频器在保证性能的同时，具有体积小，价格低的优点。这样的diplexer可以用在很多手持设备和便携设备上面。

关键词：双频器、集成无源器件、静电防护、小型化、集成化

所属期刊栏目：16

分类号：TN451(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2016-05-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：199-204