粗线条的2.5D硅转接板高速信号布线设计与仿真分析

摘要：

硅转接板作为2.5D集成的核心结构,通过TSV(through silicon via)提供垂直互联大大缩短了连线长度;同时其热膨胀系数与芯片较好匹配,并兼容圆片级工艺,因此硅转接板拥有着广阔的应用与发展空间.然而由于现有的封装工艺条件的限制,以及半导体硅高损耗的特性,在实现高速信号的高密度集成时,会出现损耗、串扰等多方面的信号完整性问题.结合封装工艺,针对硅转接板10 μm线宽的RDL(redistribution layer)传输线多种布线结构在ANSYS的全波电磁场仿真软件HFSS中建立模型.通过仿真,得出硅衬底对传输线电性能的影响;以及单端和差分传输线的合理布线方式,并且提出了高速传输线的高密度排布结构.通过20 μm线宽RDL传输线的高频电测试与仿真的结果分析,得出转接板RDL制作工艺的可靠性以及仿真方法的准确性,同时得出RDL层间介质厚度对传输线高频电性能的影响.

关键词：2.5D封装、硅通孔(through silicon via、TSV)、转接板、RDL电仿真、电设计

所属期刊栏目：14

分类号：TN302(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项2011ZX02709-2

在线出版日期：2014-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：61-65