一种高温下测量薄膜电阻温度特性的方法

摘要：

介绍了Rymaszewski四探针法测薄膜方块电阻原理,设计并搭建了可测室温到550℃的四探针测试仪.该系统可在保护气体下变温测量薄层电阻,弥补了四探针法在较高温度测量薄膜电阻率的不足.制备并测试了多晶硅及铂薄膜的电阻温度特性,用多项式拟合了在该温度范围内电阻温度系数,并分析了方法可靠性.

关键词：四探针、Rymaszewski法、高温、薄膜、多晶硅、Pt、电阻温度系数

所属期刊栏目：14

分类号：TN307(半导体技术)

在线出版日期：2014-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：234-238