基于FPGA控制的NAND Flash存储设计

摘要：

为实现大容量存储电路的设计,以FPGA作为控制核心,Flash作为存储芯片,采用组合指令的设计方法,提高控制指令的可靠性,并对其进行有限状态机检测,最大限度防止无效指令;针对存储芯片坏块问题,建立一种快速实时更新的无效块地址列表,将所有无效块地址存储在FPGA内部RAM中,通过地址对比,实现数据的可靠存储.该设计具有一定的通用性,可以扩展到所有类似Flash存储系统中,对其他的电路具有一定的借鉴意义.

关键词：Flash、FPGA、三线控制、无效块地址列表

所属期刊栏目：13

分类号：TP333(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2014-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：10349-10353