利用MOS器件进行补偿的低温度系数电压基准源

摘要：

基于TSMC 0.5μm 2P2M CMOS高压混合信号工艺设计了一种高精度、低温度系数带隙电压基准源.为了降低温度系数,电路采用MOS器件,利用ID-VGs关系来进行二阶补偿,没有采用传统的放大器反馈模式,从而极大地简化了电路结构,同时也省去了因放大器失调所带来的困扰.电路在Cadence软件上完成设计并用Specie进行了仿真验证.结果表明,在6V电源电压下,电路产生的基准电压为1.2V,在-30～130℃温度范围内温度系数为1.4×10-6(ppm)/℃,低频下电源抑制比为-60 dB,功耗为0.18 mW.

关键词：电压基准、温度系数、补偿、MOS器件

所属期刊栏目：13

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2013-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：8765-8768