0.18 μm SOI器件技术抗SET设计加固方法

摘要：

介绍0.18 μm SOI器件技术中SET(single event transient)的原理模型及设计加固方法；并结合工艺具体参数,利用TCAD仿真工具进行了模拟仿真.探讨SET在0.18 μm SOI器件技术中的微观机理.提出0.18 μm SOI工艺SET设计加固方法.重点在于器件和电路级的探讨与加固,尤其是器件物理结构上的SET机理模型及加固设计.

关键词：SET(single event transient)、SEU(single event upset)、SOI(silicon on isolation)、辐照加固、原理模型

所属期刊栏目：13

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2013-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：8760-8764