纳米MoS2制备及MoS2/Al的I-V性能研究

摘要：

用前驱体分解法制备纳米MoS2微粒；并且以铝片为基底,制备了MoS2/Al薄膜,对MoS2/Al薄膜的I-V性能进行了研究.结果表明:以(NH4)6Mo7O24 ·4H2O和(NH4)2S为原料,在60℃氨水溶液中合成了具有金属光泽的斜方晶系(NH4)2MoS4.(NH4)2MoS4在80℃水中分解4h,制备得到粒径约100 nm ～200 nm的纳米MoS2微粒,团聚严重.以热浸镀法制备的MoS2/Al涂层薄膜经过30 min、40 min、60 min退火处理的样品的I-V曲线均具有良好的半导体性能.

关键词：纳米MoS2、前驱体分解法、MoS2/Al薄膜、I-V性能

所属期刊栏目：13

分类号：TN304.82(半导体技术)

在线出版日期：2013-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：8467-8471