应用子模型的高密度大规模2.5D转接板内TSV热应力仿真误差分析

摘要：

讨论了ANSYS子模型技术对高密度2.5D转接板内TSV(Through Silicon Via)的热应力仿真误差,分析了TSV直径和高度对仿真误差的影响.研究发现子模型仿真误差会随着TSV直径的增加而大幅升高,严重影响子模型热应力计算结果的准确性和可靠性.为解决此问题,提出了几种子模型技术的改进仿真方案,并综合比较了各方案的仿真误差以及计算量和计算时间,指出等效简化方法和“嵌入式”子模型结构能在较少的资源消耗下得到更理想的仿真结果.

关键词：ANSYS子模型、TSV转接板、热应力、仿真误差

所属期刊栏目：13

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家科技重大专项2011ZX02709-2;中国科学院百人计划项目Y0YB049001

在线出版日期：2013-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：7979-7986