对基于GaN晶体管自加热效应的研究

摘要：

采用有限元分析方法(FEM)求解泊松方程,连续性方程,以及热传导方程对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的自加热效应进行了数值模拟研究.着重比较了晶体管在SiC、Si及蓝宝石衬底上的沟道温度和漏电流.同时讨论了在外延层和衬底接触处的热边界电阻对晶体管电行为的影响.数值模拟表明,由于SiC的热导比较大,晶体管在其衬底上有较大的漏电流和较低的沟道温度,热边界电阻对其电行为有比较大的影响.相反,由于蓝宝石的热导比较小,晶体管在其衬底上有较低的漏电流和较高的沟道温度,显现出了比较大的自加热效应,热边界电阻对其电行为的影响可以忽略.

关键词：AlGaN/GaN晶体管、自加热效应、偏微分方程、有限元方法

所属期刊栏目：13

分类号：O472.2(半导体物理学)

资助基金：贵州省教育厅自然科学基金黔教科2012B266;六盘水师范学院科研项目lpssy201012

在线出版日期：2013-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：7725-7730