一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器设计

摘要：

基于WIN InGaP/GaAs HBT工艺,设计了一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器.工作在AB类偏置状态,由三级放大电路级联构成,并带有温度补偿和线性化的偏置电路.芯片版图面积为1 410×785 μm2,电源电压为3.4V.仿真结果显示:功率增益大于30.1 dB、1 dB压缩点输出功率为31.2 dB·m,在Band 38 (2 570 ～2 620) MHz内,输入回波损耗S11小于-15 dB,S21大于30.1 dB,输出回波损耗S22低于-25 dB,1 dB压缩点输出功率的功率附加效率高达36.6％.

关键词：LTE、InGaP/GaAs HBT、射频功率放大器、1 dB压缩点、功率增益、功率附加效率

所属期刊栏目：13

分类号：TN722.11(基本电子电路)

在线出版日期：2013-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：5801-5805