粗糙侧壁对硅通孔互连结构高频性能的影响

摘要：

详细分析了由Bosch刻蚀形成的侧壁形貌的粗糙度(Sidewall Roughness)对硅通孔(TSV)互连结构高频性能的影响,并通过全波电磁场仿真软件HFSS将粗糙侧壁TSV互连结构与平滑侧壁TSV互连结构的传输特性进行了详尽的对比.仿真结果显示,在相同的条件下,粗糙侧壁TSV结构的插入损耗比光滑侧壁TSV结构增加了15％,并且随着侧壁形貌粗糙度的增加,TSV互连结构的高频性能恶化更加严重.最后,通过对二氧化硅绝缘层厚度和TSV直径对TSV互连结构高频性能的影响,提出了补偿侧壁粗糙度对高频性能产生的不良影响的方法,为TSV电学设计提供参考依据.

关键词：三维集成、硅通孔、全波电磁场仿真、插入损耗、Bosch刻蚀

所属期刊栏目：13

分类号：TN431.1(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家重大科技专项2011ZX02709-2

在线出版日期：2013-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：5339-5344