Ni50.3Mn27.3Ga22.4磁性形状记忆合金薄膜的磁性能研究

摘要：

采用磁控溅射方法制备Ni50.3Mn27.3Ga22.4磁性形状记忆合金薄膜.系统研究薄膜的马氏体相交行为、磁场增强相变应变特性以及温度对磁感生应变的影响.试验结果表明,经823 K退火1h的Ni50.3Mn27.3Ga22.4薄膜室温下处于奥氏体态,马氏体相变开始温度为271.5 K.当沿膜面方向施加0-0.8 T磁场时,Ni50.3Mn27.3Ga22.4薄膜的马氏体相变应变量随磁场强度的增大而增大,呈现出磁场增强马氏体相交应变效应.试验还发现,饱和磁感生应变显著依赖于测试温度.当测试温度低于拟马氏体相变结束温度时,饱和磁感生应变随温度的升高先缓慢增大,在马氏体相变开始温度附近磁感生应变值发生跳跃式增加,然后随测试温度的进一步升高而降低.

关键词：NiMnGa、形状记忆合金、薄膜、马氏体相交

所属期刊栏目：13

分类号：TG111.92(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金资助项目51101027;黑龙江省新世纪优秀人才支持计划、黑龙江省高校青年学术骨干支持项目1251G004;黑龙江省教育厅科技项目12511004

在线出版日期：2013-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5132-5134,5196