10.3969/j.issn.1671-1815.2013.16.042
大功率晶体管材料参数计算与分析
为更好地研究大功率晶体管的工作原理,针对集电极最大允许耗散功率P=50 W的具体大功率晶体管参数要求,利用近似方法结合制造工艺条件进行综合分析,计算出大功率晶体管的晶片电阻率、基区和发射区表面浓度、外延层杂质浓度和电阻率等材料参数;并分析了材料质量对大功率晶体管成品率的影响和大功率晶体管的击穿原因,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑.分析方法通过实验验证,具有较好的实用性.
大功率晶体管、材料参数、半导体技术、设计、分析
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TN32(半导体技术)
贵州省重点支持学科黔教高发[2011]275号
2013-08-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
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