10.3969/j.issn.1671-1815.2013.03.003
稀磁半导体超晶格中的隧道磁电阻
关于GaMnAs/AlAs/GaMnAs磁单结的隧道磁电阻有着广泛的研究,利用转移矩阵的方法研究了稀磁半导体超晶格中隧道磁电阻.数值模拟表明:系统会发生共振隧穿,并且共振峰会劈裂.系统的隧道磁电阻随着势垒宽度的增减逐渐减小.
稀磁半导体、隧道磁电阻、超晶格、自选电子学
13
TM8;TM2
2013-04-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
554-558
10.3969/j.issn.1671-1815.2013.03.003
稀磁半导体、隧道磁电阻、超晶格、自选电子学
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TM8;TM2
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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