10.3969/j.issn.1671-1815.2012.26.039
基底温度对Ti/TiN薄膜内应力的影响
采用反应直流磁控溅射法,在硅基底上制备了一系列不同结构的Ti/TiN多层薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)对薄膜物相进行了分析,研究了溅射沉积过程中基底温度对周期薄膜结构及内应力的影响.结果表明:多层薄膜中的Ti出现( 101)面,TiN的(200)面衍射峰强度在基底温度为600℃时最高.随着衬底温度的升高,薄膜内部的压应力逐渐减小,当基底温度在600℃时,薄膜内应力最小.
磁控溅射、多层薄膜、基底温度、薄膜内应力
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O484.1(固体物理学)
2012-11-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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6743-6745,6749