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10.3969/j.issn.1671-1815.2012.20.037

大功率晶体管横向结构参数设计与分析

引用
为研究大功率晶体管的结构和工作原理,提出设计参数指标为集电极最大允许耗散功率P=50 W.采用梳状结构,利用近似方法结合各项工艺条件经过综合分析,计算出大功率晶体管的发射结和集电结面积、发射极总周长、发射极与基极间距、发射极金属电极条长和宽、晶片面积等横向结构参数,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑.计算方法通过实验验证,适用于更大功率晶体管的参数分析和计算.

大功率晶体管、横向结构参数、半导体技术、设计、分析

12

TN47(微电子学、集成电路(IC))

贵州省重点支持学科黔教高发[2011]275号

2012-11-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

5027-5030

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1671-1815

11-4688/T

12

2012,12(20)

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