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10.3969/j.issn.1671-1815.2012.13.002

Zn基ZnO纳米棒阵列的制备和发光特性

引用
N2H4·H2O水热体系中,在Zn基底上制备出了ZnO纳米棒薄膜.采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜( FESEM)及发致发光谱(PL)等分析测试手段,研究了ZnO薄膜的形貌结构和发光特性.结果表明,预处理工艺不同,Zn基底表面状态不同,ZnO薄膜形貌也不同.在经预氧化形核的Zn基底上易于制备ZnO纳米棒薄膜.在单一取向的Zn基面上,易于制备ZnO纳米棒阵列.PL测试分析表明,ZnO纳米棒有强的近带边紫外光发射峰和弱的缺陷发射峰.阵列棒本征发射峰强度最高、缺陷峰最弱,反映了该ZnO纳米棒结晶质量高.

Zn基底、预处理、ZnO纳米棒、发光特性

12

O611.62;O784(无机化学)

国家重点基础研究发展计划973项目2011CB610406;西北工业大学基础研究基金JC20110247

2012-07-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

3037-3040,3056

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1671-1815

11-4688/T

12

2012,12(13)

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