长度可调的纳米线阵列近红外减反射特性

摘要：

采用金属催化化学腐蚀方法在单晶硅表面制备了有序的纳米线阵列.研究了纳米线长度与腐蚀时间之间的关系.发现纳米线长度随着腐蚀时间的增加而增大.测试了所制备的具有纳米线阵列的硅表面在近红外1 000 nm～2 500 nm范围内的减反射性能.测试结果表明,与未处理的光滑硅表面相比,具有纳米线阵列的表面的反射率大辐降低；并随着纳米线长度的增加,反射率减小.

关键词：纳米线阵列、减反射、近红外

所属期刊栏目：12

分类号：TN304.12(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目51005187

在线出版日期：2012-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2306-2309