磁性半导体隧道结中自旋注入效率的温度效应

摘要：

利用了隧道哈密顿方法研究了稀磁性半导体(DMS)到非磁性半导体(SM)隧道结中自旋注入效率与温度的关系.计算表明,随着温度的升高,自旋注入效率逐渐降低.这主要是由两方面的原因引起的,其一温度升高稀磁半导体的极化率降低；其二温度升高自旋反转隧穿增加.

关键词：稀磁半导体、自旋注入效率、隧道哈密顿、线性响应

所属期刊栏目：12

分类号：O472.7(半导体物理学)

在线出版日期：2012-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：482-485