GaAs导带中电子自旋极化的能量演化

摘要：

考虑自旋极化依赖的带隙重整化效应,分别计算了常温与10 K的低温下GaAs导带中光注入电子自旋极化度的能量演化.计算过程中假设右旋圆偏振光激发,载流子浓度为2×1017 cm-3.发现常温下电子初始自旋极化度随过超能量的增大而增大,并非为通常认为的0.5.而在低温下,导带底附近电子初始自旋极化度几乎为0,电子初始自旋极化度也随过超能量的增大而增大,高能级上可以获得100％的电子初始自旋极化度.

关键词：电子初始自旋极化度、带隙重整化效应、费米分布、GaAs

所属期刊栏目：11

分类号：O471.1(半导体物理学)

资助基金：青岛科技大学科研启动基金课题资助

在线出版日期：2012-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：7884-7887