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10.3969/j.issn.1671-1815.2011.23.038

拉曼光谱法研究微晶硅薄膜应力梯度

引用
采用拉曼光谱法研究了不同退火时间下的微晶硅薄膜应力.结果发现样品的应力梯度并不随着退火时间的增加而增大.而是存在最大值,这可能与晶粒尺寸有关,且靠近玻璃衬底的薄膜有较高压应力,由衬底到薄膜表面压应力逐渐减小,直到表面变为拉应力.

拉曼光谱、微晶硅薄膜、应力

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TB341(工程材料学)

2012-01-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

5647-5649

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1671-1815

11-4688/T

11

2011,11(23)

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