CCD图像传感器抗晕结构研究与仿真

摘要：

分析和讨论了CCD抗晕结构,并建立了CCD纵向抗晕结构模型.运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并详细分析和讨论了衬底反偏电压.1 PW层硼掺杂浓度、N型沟道磷掺杂浓度和TG转移栅下P杂质掺杂浓度参数对CCD纵向抗晕能力的影响,并得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构.

关键词：CCD、光晕、纵向抗晕、器件仿真

所属期刊栏目：10

分类号：TN911.73

在线出版日期：2010-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：6658-6660,6678