Ar离子溅射诱导硅纳米圆锥阵列的场发射性能

摘要：

利用碳薄膜作为模板,采用能量1.2 keV的Ar离子束室温溅射的方法制备了大面积高密度的硅纳米圆锥.硅纳米圆锥的密度约为(1-2)×109/cm2.场发射性能测量结果表明硅纳米圆锥阵列的场发射性能和碳纳米纤维的场发射性能相当,比已经报道的硅纳米圆锥的场发射性能更好.

关键词：硅纳米圆锥、离子溅射、场发射

所属期刊栏目：10

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：浙江省教育厅大学生科技创新项目资助

在线出版日期：2010-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：4145-4147