MOCVD化学反应路径分析及数值模拟

摘要：

针对GaN薄膜沉积过程中涉及到的复杂的化学反应,依据GaN沉积的4个基本要素,提出MMG是GaN薄膜沉积的主要反应前体,并在TMG的气相分解路径中引入NH2基团.通过对表面反应机理的分析,提出了4条简化的表面反应路径.利用上述反应路径,对典型的垂直式MOCVD反应器进行CFD模拟.结果表明,采用作者提出的反应路径所获得的GaN沉积速率与文献中的实验数据基本吻合.

关键词：GaN生长、MMG、反应路径、数值模拟

所属期刊栏目：10

分类号：O484.1(固体物理学)

在线出版日期：2010-07-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：3951-3953,3957