等离子体化学气相沉积氮化镓薄膜特性研究

摘要：

介绍了电子回旋共振低温等离子体化学气相沉积氮化镓薄膜工艺,并以高纯氮气N2和三甲基镓(TMG)为反应气源,在T=450℃条件下,在α-Al2O3(0001)面上低温生长了GaN薄膜.X射线分析显示GaN薄膜的(0002)峰位置为2θ=34.75°,半峰宽为18′.这一结果说明了ECR-PECVD法具有在低温下生长GaN薄膜的优势.

关键词：ECR等离子体化学气相沉积、GaN薄膜、XRD

所属期刊栏目：10

分类号：O484.5(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目[10575039]资助

在线出版日期：2010-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：2829-2830,2835