H型栅/源漏非对称结构CMOS在 PDSOI标准单元建库中的应用

摘要：

基于0.35 μm SOI工艺平台,进行PDSOI CMOS标准单元建库技术研究.讨论选用H型栅和源漏非对称结构CMOS建立PDSOI标准单元的优点,根据0.35 μm SOI CMOS工艺设计规则进行标准单元库设计,并设计了标准单元测试芯片.

关键词：SOI CMOS、源漏非对称注入、H型栅、标准单元

所属期刊栏目：9

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：西安应用材料创新基金项目XA-AM-200606

在线出版日期：2009-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2597-2600,2606