一种单电子晶体管的模拟新方法

摘要：

基于主方程法,把单电子晶体管的稳定状态数简化为3个状态,得到了一个简捷模拟新方法,通过仿真与分析,这种新模拟方法模拟单电子晶体管I-V特性,具有合理的精确度,可用来分析SET-CMOS混合电路,这对数字逻辑电路的构造分析具有十分重要的意义.

关键词：单电子晶体管、主方程法、伏安特性

所属期刊栏目：8

分类号：TN321(半导体技术)

在线出版日期：2008-11-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：4664-4666