高精度可调节CMOS带隙基准电路设计

摘要：

为了实现可变参考电压的电路结构,且降低该参考电压的温度系数,采用CSMC 0.6 μm的CMOS N阱工艺模型,设计了一种新型高精度可调节CMOS带隙基准电压源电路.该电路在传统带隙基准的基础上,增加了一级运算放大器,并详细分析了合理的参数取值,可以通过调整电阻值来得到任意输出参考电压.设计结果表明,在-55℃～125℃温度范围内,该电路不仅具有良好的温度特性,对工艺也不敏感.

关键词：带隙基准、热电压、OTA、温度系数、电源抑制比

所属期刊栏目：8

分类号：TN492(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2443-2446