辐射对半导体霍尔器件输入电阻的影响

摘要：

用60Co、137Cs、90Sr-90Y放射源低剂量率对恒流激励、无磁场作用时的InSb、GaAs、Si、Ge等半导体霍尔器件进行短时辐照,测量了辐照过程中各器件输入电阻的变化.结果表明:因为位移效应所引起的辐射缺陷,三种辐照均导致各器件输入电阻增加,并与辐照时间成正比.比较相同射线、相同时间辐照所引起的输入电阻变化量,可以判定Ge器件的抗辐射能力最强,Si器件次之,InSb、GaAs器件最差.

关键词：辐照、半导体霍尔器件、输入电阻、抗辐射能力

所属期刊栏目：7

分类号：TN382(半导体技术)

资助基金：教育部高校骨干教师资助计划K001804A

在线出版日期：2008-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：5767-5770,5780