AlGaN/InGaN/GaN双异质结构中2DEG的数值模拟

摘要：

由于InGaN的物理性质,在传统AlGaN/GaN单异质结中嵌入一定厚度的InGaN层,会使二维电子气的密度提高为原来的近两倍.正是从导带差、极化效应两个方面分析了这种现象的原因,并且通过自洽求解泊松方程和薛定谔方程分别作出了AlGaN/InGaN/GaN双异质结和AlGaN/GaN单异质结的能级图以及2DEG的电子能量图,进一步解释了该现象.

关键词：二维电子气、导带差、极化、自洽求解

所属期刊栏目：6

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2006-12-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：4682-4684,4694