基于CMOS准浮栅技术的超低压模拟集成电路

摘要：

基于多输入浮栅MOS晶体管的分析,系统研究准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路,并总结其用于超低电压模拟电路设计的优势.基于CMOS准浮栅技术,提出了0.8 V两级运算放大器和1 V 2.4 GHz Gilbert混频器电路,并采用TSMC 0.25 μm 2P5M CMOS工艺的Bsim3V3模型完成了特性仿真,仿真结果显示了准浮栅技术用于超低电压模拟电路设计的优势.

关键词：CMOS、准浮栅、超低电压、模拟电路、运放、混频器

所属期刊栏目：6

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：中国科学院资助项目60476046;国家部委科研项目51408010203DZ0124;51408010304DZ0140;51408010205DZ0164;国家重点实验室基金51433030103DZ0101

在线出版日期：2006-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：143-146,150