开管扩Ga模型的初步建立

摘要：

依照二次离子质谱(SIMS)、扩散电阻(SRP)和原子力显微镜(AFM)等分析手段,首次阐述了P型杂质Ga由SiO2膜的吸收输运和SiO2-Si内界面上的分凝效应两者的统一,完成硅中可控制掺杂的全过程;并揭示了其中SiO2薄层的表面效应及Si的体内效应;初步建立起SiO2/Si系下开管扩散Ga的模型.

关键词：Ga Sio2/Si、开管扩散模型

所属期刊栏目：3

分类号：TN305.4(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69976019;山东省自然科学基金Y99G01

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：61-64