10.3969/j.issn.1671-1815.2002.06.016
等离子电弧蒸发及后续氮化法制备AlN纳米线
采用两步熔铝氮化法成功地制备出了AlN纳米线.首先,用含氮等离子体电弧法制得Al+AlN混合纳米粉.然后,再将Al+AlN混合纳米粉在750~850℃下保温1 h进行氮化处理,制备出含有AlN纳米线的纯AlN纳米材料.经XRD、TEM和HR-TEM的测试表明:AlN纳米线呈表面平滑的棒状形貌,其直径10~50 nm,长度为500nm~500μm.同时探讨了AlN纳米线的生长机制.
等离子电弧、AlN纳米线、制备
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TF123.34(冶金技术)
国家自然科学基金59971055,50071059
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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