扩Ga基区高反压晶体三极管V-I特性分析

摘要：

从器件物理的角度,对杂质、掺杂方式不同,形成基区的高耐压晶体三极管I-V负阻效应随机性进行分析.结果认为,负阻摆幅的大小对小电流注入下放大性能的优劣产生直接影响,而对发射极-收集极间的真正击穿电压并无减小损失;进一步证明了在SiO2/Si系统中,开管扩Ga形成的晶体管,具有耐压高、漏电流小的特点.

关键词：镓、负阻效应、击穿电压(峰值电压)、电流放大系数

所属期刊栏目：2

分类号：TN305.4(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69976019;山东省自然科学基金Y99G01

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：32-35