基于MCNP程序计算HFETR入单晶硅对周期 监测的影响

摘要：

高通量工程试验堆(HFETR)入单晶硅辐照时会引入微小的正反应性扰动,对邻近电离室孔道内的周期监测产生一定的影响.本文基于HFETR堆芯装载和燃耗分布使用蒙特卡洛核粒子输运程序(MCNP5)建立了反应堆物理计算模型,采用蒙特卡洛核粒子输运扩展程序(MCNPX2.6)计算燃耗产物,分析了8kg单晶硅通过辐照孔道进入堆芯过程对邻近周期监测的影响程度.研究结果表明,HFETR入8kg单晶硅会导致邻近辐照孔道内中子注量分布发生畸变,可能会因单晶硅的辐照位置变化导致15#电离室(15DS)中下方局部位置的中子通量变化超过此处周期监测仪的报警阈值.

关键词：HFETR、反应性扰动、周期测量、MCNP

所属期刊栏目：16

分类号：TQ127.2

在线出版日期：2019-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：132-134,136