非晶硅薄膜太阳能电池的p/i和i/n界面插入缓冲层对电池性能影响研究

摘要：

本文建立基于pin型结构非晶硅薄膜太阳能电池,采用数值模拟的方法,通过模拟分析表明,在电池的p/i、i/n界面插入缓冲层可以得到电池转化效率为7.474%,比没有缓冲层电池提高0.305%.

关键词：非晶硅、缓冲层、转化效率

所属期刊栏目：14

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：宁夏师范学院校级科研项目NXSFYB17108;宁夏自然科学基金项目NZ15263

在线出版日期：2017-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：73-74