期刊专题

10.16660/j.cnki.1674-098x.2015.27.054

基于CMOS工艺的加速度计制备

引用
传统的体硅方式加工的微加速度计具有体积大,成本高,不易与处理电路单片集成的缺点。而采用CMOS工艺方式加工的微加速度计具有体积小,成本低,噪声小,易与处理电路单片集成,更符合当今智能手机和可穿戴设备的需求。针对集成加速度计行评述,叙述电容式加速度计检测原理,并提出一种基于CMOS工艺的一种制备加速度计的加工方式。

加速度计、MEMS、POST、CMOS

U666.1(船舶工程)

2015-12-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

54-55,58

暂无封面信息
查看本期封面目录

科技创新导报

1674-098X

11-5640/N

2015,(27)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn