场效应增强硅纳米晶电致发光强度的研究

摘要：

实用的硅光源器件在硅光电子器件中起着非常重要的作用。但由于Si是间接带隙半导体材料，基本上无发光，当Si的尺寸减小到纳米量级时，存在着发光，Si-nc的光致发光强度较强，但其电致发光强度较弱，该研究采用在器件中加入场效应层的方法来提高硅纳米晶中的电子传输效率，从而提高了硅纳米晶的电致发光强度。本研究在p型硅衬底上制备三种不同结构的样品，从而引入场效应，比较不同样品之间的EL强度，得出场效应方法增强硅纳米晶电致发光的强度。

关键词：硅纳米晶、场效应、电致发光、I-V曲线

分类号：O43(光学)

在线出版日期：2015-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：21-21,23