低位错密度的XRD无损表征研究

摘要：

当半导体材料中位错密度大于107cm-2,难以用传统的腐蚀法进行测量时,可以利用高分辨X射线衍射(XRD)峰的半高宽估算材料中位错密度.该文利用该方法研究了位错密度小于107cm-2时是否适用的问题.结果表明,材料中位错密度较低(5.3×105cm-2)时,利用XRD测得的位错密度值与实际值存在3个数量级的偏差.分析认为,当晶体中位错密度较低时,参与衍射的晶面就越多,衍射峰就越窄,当位错加宽值与仪器精度接近时,就会产生较大偏差.因此在低密度位错时,利用XRD方法测量材料中位错密度时容易产生较大偏差.

关键词：XRD、4H-SiC、位错密度

所属期刊栏目：12

分类号：O657.3(分析化学)

资助基金：国家自然科学基金No.51302215Project supported by the National Natural Science Foundation of China Grant 51302215

在线出版日期：2015-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：92-93