10.3969/j.issn.1674-098X.2014.28.047
AlN缓冲层条件下普通玻璃上InN的制备方法①
InN材料具有最小的有效质量和最高的载流子迁移率、饱和漂移速率,低场迁移率,是重要的半导体材料。该研究论文以价格低廉的普通玻璃作为InN薄膜的基片,很大程度的降低了其成本价格。本实验以普通康宁玻璃为衬底基片,在AlN/普通康宁玻璃基片结构上,改变不同沉积温度制备,InN薄膜,得到InN/AlN/普通康宁玻璃结构的高功率高频率器件的初期薄膜结构。该研究论文制备的光电薄膜器件均匀性好,薄膜衬底成本廉价,可用于大面积制造大功率,高频率器件,降低其成本价格。
InN薄膜、AlN薄膜、普通玻璃衬底、半导体材料与器件
TN3(半导体技术)
辽宁省教育厅科学研究一般项目L2012374。
2014-12-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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