10.3969/j.issn.1674-098X.2014.16.064
几种功率MOSFET元胞结构的比较
对几种常见功率MOSFET的元胞结构、工艺流程和电学参数特点进行了介绍和分析,指出了各类元胞结构的优缺点和工艺实现上的难点,给出了对不同的电压范围应采用的元胞结构的意见。
功率MOSFET、元胞、工艺流程
TN386(半导体技术)
2014-09-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共1页
81-81
10.3969/j.issn.1674-098X.2014.16.064
功率MOSFET、元胞、工艺流程
TN386(半导体技术)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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