功率VDMOS器件用N/N+型外延层过渡区的研究

摘要：

该文主要对VDMOS器件用N/N+型外延层工艺进行了分析,从造成过渡区展宽的三种因素进行了重点分析,并采用不同的工艺条件进行了相关的对比试验和研究,总结了外延层过渡区工艺规律并提出了改善方案.

关键词：外延层、过渡区、自掺杂

分类号：TP393.4(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2014-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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