V、Mn掺杂ZnO薄膜的掺杂特性及制备工艺研究

摘要：

本文采用溶胶-凝胶法制备掺杂Mn的ZnO薄膜,并直流磁控溅射v掺杂的ZnO薄膜,研究Mn、V掺杂浓度以及制备工艺对于ZnO薄膜微观组织和电学性能的影响.研究发现,溶胶-凝胶法制备Zno薄膜,最佳热处理温度为450℃前烘和700℃退火处理结合.掺杂ZnO薄膜结构显示,Mn、V离子部分替代Zn离子进入ZnO晶格的内部.Mn掺杂ZnO薄膜浓度约为1％时,或v元素掺杂浓度为2％时,ZnO薄膜中的(002)晶向的衍射峰最强,显示出一定的C轴择优生长性.

关键词：ZnO薄膜、溶胶-凝胶法、Mn掺杂、V掺杂

分类号：O484.4(固体物理学)

在线出版日期：2013-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

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