多量子阱垒结构优化提高GaN基LED发光效率研究

摘要：

为了解决由于极化效应引起的漏电流影响发光效率的问题,以k.p理论为基础建立多量子阱模型,分析研究了GaN基LED中不同的InGaN/InGaN多量子阱发光层势垒结构.基于化合物半导体器件的电学.光学和热学属性的有限元分析,设计与优化多量子阱中靠近P型AIGaN电子阻档层倒数第二层势垒,显著提高了光输出功率,减少漏电流.数值模拟分析表明,改良多量子阱势垒能够大幅提高高亮度,高功率器件结构光电特性.

关键词：GaN基LED、多量子阱、InGaN、垒结构

分类号：O471(半导体物理学)

在线出版日期：2013-07-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

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